과학자들은 게르마늄 결정에 갈륨을 정밀하게 주입하는 새로운 기술(MBE 기반 도핑)을 통해 초전도성을 지닌 ‘초전도 게르마늄(super-Ge)’을 만드는 데 처음 성공했습니다. 이 재료는 기존 반도체 공정과 호환되면서도 3.5K에서 0 저항 전류 흐름을 구현해 양자회로·초저전력 전자소자·센서 기술에 큰 잠재력을 제공하고 있습니다.특히 이 방식은 웨이퍼 규모에서 수백만 개의 조셉슨 접합(Josephson Junction)을 제작할 수 있는 기반을 마련해 차세대 양자칩 개발에 직접적으로 기여할 수 있습니다.이번 성과는 기존 반도체(게르마늄·실리콘)에서도 구조 변형을 통해 초전도성을 안정적으로 구현할 수 있음을 입증한 중요한 재료 과학적 돌파구가 되고 있습니다.

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[출처]

https://thequantuminsider.com/2025/11/28/superconducting-germanium-study/