일본 도쿄이과대와 산업기술종합연구소(AIST) 공동연구진이 실리콘 스핀 큐비트 양자 프로세서의 성능을 저하시키는 잡음의 원인을 규명했습니다.
연구진은 반도체·산화막 계면의 트랩 상태에서 발생하는 전자 전이가 큐비트 공진주파수 변동과 게이트 정확도 저하의 주요 원인임을 확인했으며, 이를 통해 저잡음 공정과 안정적인 주파수 제어 기술 개발 방향을 제시했습니다.
이번 연구는 향후 대규모 내결함 실리콘 양자컴퓨터 구현을 위한 기반 기술 확보에 기여할 것으로 기대되고 있습니다.
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